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      氧化銦錫(ITO)陶瓷靶材


      ITO靶材是一種N型半導體材料,具有高的導電率,優異的可見光透過率,由氧化銦和氧化錫粉末按照一定比例混合后,經過一系列的生產工藝加工成型,再高溫燒結形成的黑灰色陶瓷半導體材料。ITO靶材的燒結技術主要由以下幾種:常壓燒結法、熱壓法、熱等靜壓法(HIP)、微波燒結法、放電等離子燒結法等。
      ITO旋轉靶采用常壓燒結工藝,綁定在背管上制得,尺寸及比例根據客戶要求定制。
      ITO平面靶根據尺寸大小,一般采用常壓燒結和熱等靜壓工藝,綁定在背板上制得,尺寸及比例根據客戶要求定制。


      純度:99.99%;電阻率(20°C):≤ 1.8Ω.cm;失氧率:≤0.5%;
      常用比例:In2O3:SnO2=90:10(wt%)、In2O3:SnO2=95:5(wt%)、In2O3:SnO2=97:3(wt%)。
      應用領域:平板顯示器、太陽能電池、集成電路、磁記錄和光記錄。


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